کمیته رکن چهارم – شرکت SK Hynix تولید انبوه حافظه ۴D NAND جدید خود با ۳۲۱ لایه را آغاز کرد. این حافظه، با ۳۵ درصد افزایش لایه نسبت به مدلهای قبلی، ظرفیت ذخیرهسازی تا ۱ ترابایت، بهبود ۱۲ درصدی سرعت انتقال داده و صرفهجویی ۱۰ درصدی در مصرف انرژی را فراهم میکند. این فناوری برای کاربردهای مرتبط با هوش مصنوعی و مراکز داده طراحی شده و جایگاه این شرکت را در بازار جهانی حافظه تقویت میکند.
به گزارش کمیته رکن چهارم، شرکت SK Hynix با معرفی حافظه ۴D NAND جدید خود با ۳۲۱ لایه، گامی بزرگ در ارتقای فناوریهای ذخیرهسازی برداشته است. این حافظه که از فناوری Triple-Level Cell (TLC) بهره میبرد، با افزایش تعداد لایهها نسبت به مدلهای پیشین، ظرفیت ذخیرهسازی تا ۱ ترابایت را فراهم کرده و بهبودهایی در عملکرد نشان داده است؛ از جمله ۱۲ درصد افزایش سرعت انتقال داده، ۱۳ درصد بهبود در خواندن اطلاعات و صرفهجویی بیش از ۱۰ درصدی در مصرف انرژی، که آن را به گزینهای مناسب برای پاسخگویی به نیازهای رو به رشد صنعت فناوری اطلاعات تبدیل میکند.
فناوریهای پیشرفته در تولید
به گفته کارشناسان، فرآیند تولید این حافظه از فناوری “۳ Plugs” استفاده میکند که شامل اتصال الکتریکی سهگانه، بهکارگیری مواد با تنش پایین برای جلوگیری از تغییر شکل ویفر و فناوری تصحیح تراز (Alignment Correction Technology) برای افزایش دقت تولید است. این بهبودها منجر به افزایش ۵۹ درصدی بهرهوری در تولید شده است.
کاربردها و رقابت در بازار
این فناوری جدید برای کاربردهای مرتبط با هوش مصنوعی، از جمله مراکز داده و دستگاههای ذخیرهسازی پرسرعت که به بهرهوری انرژی بالا نیاز دارند، طراحی شده است. SK Hynix با معرفی این محصول، رقابت خود با شرکتهایی چون سامسونگ و Micron را تقویت کرده و جایگاه خود را در بازار جهانی حافظه مستحکمتر ساخته است.
چشمانداز آینده
این حافظه ۳۲۱ لایه با هدف پاسخگویی به نیازهای روزافزون صنعت هوش مصنوعی طراحی شده است. به گفته جونگدال چوی، رئیس توسعه NAND در SK Hynix، تولید انبوه این فناوری گامی مهم در راستای تسلط بر بازار حافظههای پیشرفته و ارتقای جایگاه این شرکت بهعنوان یکی از بازیگران اصلی در صنعت حافظه خواهد بود.
این پیشرفت، با تمرکز بر کاربردهای هوش مصنوعی و ذخیرهسازی پرسرعت، نیازهای آینده فناوری را برآورده کرده و نقش مهمی در توسعه مراکز داده پیشرفته ایفا خواهد کرد.
